“GaN”中文名“氮化镓”，是一种新型半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信，被誉为第三代半导体材料。随着技术突破成本得到控制，目前氮化镓还被广泛运用到消费类电子等领域，充电器便是其中一项。

采用了GaN氮化镓元件的充电器最直观的感受就是体积小、重量轻，在发热量、效率转换上相比普通充电器也有更大的优势，大大的提升了我们的使用体验。

纳微NV6115目前已被45W GaN PD充电器采用

纳微半导体 NV6115 详细资料

用料方面，市场上的大部分PD充电产品内部采用了行业前沿的GaN氮化镓技术，内置Navitas纳微半导体的NV6115氮化镓芯片，高度集成的驱动电路和单晶片的设计使得氮化镓芯片的开关频率大幅度提高，最终实现产品的小型化和高效率。

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